Banc de mesure de la durée de vie_QSSPC Etablissement

Ce banc permet la mesure de la durée de vie τeff des porteurs de charges électriques minoritaires dans les plaquettes de silicium type p et n. Le principe de mesure repose sur la variation de la photocoductance « Δσ(t) » de l’échantillon (plaquette de silicium type p dans ce cas), résultante de la photo-génération des porteurs de charge par une source lumineuse, une lampe UV